半导体浓度测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.载流子浓度检测：电子浓度，空穴浓度，体载流子浓度，表面载流子浓度

2.掺杂浓度检测：受主浓度，施主浓度，总掺杂浓度，有效掺杂浓度

3.浓度分布检测：纵向浓度分布，横向浓度分布，深度浓度分布，区域浓度均匀性

4.电阻率关联检测：体电阻率，方块电阻，电阻率均匀性，浓度与电阻率对应关系

5.迁移率关联检测：电子迁移率，空穴迁移率，霍尔迁移率，浓度迁移率相关性

6.界面浓度检测：结区浓度，界面载流子浓度，表层掺杂浓度，过渡区浓度变化

7.杂质含量检测：主杂质浓度，残余杂质浓度，补偿杂质浓度，背景杂质水平

8.薄层浓度检测：外延层浓度，薄膜载流子浓度，薄层掺杂分布，有效导电层浓度

9.热处理后浓度检测：退火后载流子浓度，扩散后掺杂浓度，活化浓度，浓度变化率

10.结深关联检测：掺杂结深，浓度梯度，结区扩展特征，浓度突变位置

11.面内均匀性检测：片内浓度均匀性，片间浓度一致性，边缘与中心浓度差，局部波动

12.失效分析关联检测：异常区域浓度，漏电关联浓度，击穿关联浓度，失效点掺杂特征

检测范围

单晶硅片、外延硅片、抛光硅片、掺杂硅片、化合物半导体晶片、砷化物晶片、氮化物晶片、碳化物晶片、半导体薄膜、外延层样品、扩散层样品、离子注入样品、晶圆切片、器件芯片、功率器件芯片、传感器芯片、发光器件芯片、探测器芯片

检测设备

1.霍尔效应测试系统：用于测定载流子浓度、迁移率及导电类型，适用于半导体材料电学参数分析。

2.四探针测试仪：用于测量方块电阻和电阻率，可辅助评估掺杂浓度及面内均匀性。

3.电容电压测试仪：用于分析结区电容变化，获取掺杂浓度分布及结深相关信息。

4.二次离子质谱仪：用于测定元素和杂质的深度分布，适合进行微区浓度剖面分析。

5.扩展电阻测试仪：用于表征半导体截面电阻变化，可推算局部掺杂浓度分布。

6.表面轮廓仪：用于测量样品表面台阶和膜层厚度，为浓度深度分析提供几何参数支持。

7.探针台测试系统：用于对晶圆或芯片局部区域进行电学测试，便于开展浓度相关参数测定。

8.低温测试装置：用于在受控温度条件下测量载流子行为，支持浓度与温度关系分析。

9.显微测试系统：用于定位样品微小区域和异常区域，辅助开展局部浓度检测与失效分析。

10.数据采集分析系统：用于汇总处理测试信号，完成浓度计算、分布拟合及结果整理。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质